掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响  

The Effect of P-doping Density and Al Composition Upon Luminescent Efficiency

作　　者：陈贵楚[1] 范广涵[1] 陈练辉[1] 刘鲁[1] 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631

出　　处：《光子学报》2004年第3期310-313,共4页Acta Photonica Sinica

基　　金：国家科技攻关计划(编号00068)基金项目

摘　　要：通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的P型掺杂程度下 ,限制层Al组分与LED发光效率的关系 ,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律 。The relation of Al composition and luminence effici ency is gotten under various P-doping density by analyzing carrier transportion in double heterojunction of LED,and the law of doping density and Al composition vs luminence efficiency can be derived.So this conclusion would have a guide to device design and MOCVD epitaxy.

关 键 词：A1GalnP A1组分 掺杂 发光效率 

分 类 号：TN383[电子电信—物理电子学]