陈练辉

作品数：12被引量：18H指数：3
导出分析报告
供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
发文主题：AL组分ALGAINP量子级联激光器掺杂发光效率更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《量子电子学报》《光学学报》《华南师范大学学报（自然科学版）》《光子学报》更多>>
所获基金：国家科技攻关计划广州市科技攻关项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
量子级联激光器的电路模型分析被引量：1
《量子电子学报》2005年第3期431-435,共5页吴文光 范广涵 陈贵楚 李华兵 陈练辉 
国家科技攻关计划(00-068)
通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析。
关键词：激光技术 量子级联激光器 电路模型 频率响应 
Ⅲ-Ⅴ族混合晶体的长波长光学声子被引量：1
《量子电子学报》2005年第3期440-445,共6页李华兵 范广涵 陈练辉 吴文光 熊予莹 刘颂豪 
国家科技攻关计划基金(00-068)
在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系。模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常...
关键词：光电子学 III-V族混晶 MREI 光学声子 近邻力常数 
AlGaInP/GaAs外延层的倒易空间图分析被引量：1
《华南师范大学学报（自然科学版）》2005年第1期55-59,共5页李华兵 范广涵 王浩 吴文光 陈贵楚 陈练辉 
国家科技攻关计划基金(00-068)
介绍了倒易点二维图的概念,分析了AlGaInP/GaAs外延层的倒易点二维图,阐明其倒易点二维图的展宽方向和原因,获得了应变及晶面弯曲等方面的信息,为优化AlGaInP四元系发光二极管的外延工艺提供了更丰富的信息.
关键词：AlGaInP/GaAs 外延层 倒易空间图 发光二极管 二维图 外延工艺 四元系 信息 
基于对数关系的多量子阱VCSELs阈值特性研究
《光电子技术与信息》2005年第1期23-26,共4页吴文光 范广涵 李华兵 陈贵楚 陈练辉 雷勇 黄坤 
国家科技攻关项目(00-068)
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(腔长和端面反射率)之间的依赖关系。为改善VCSELs阈值特性...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 阈值电流密度 最佳阱数 腔长 端面反射率 
AlGaInP/GaInP多量子阱的拉曼光谱被引量：1
《量子电子学报》2004年第6期859-862,共4页陈练辉 范广涵 孟耀勇 刘桂强 
国家科技攻关计划基金(00-068)
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AlGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱。由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模。根据喇曼光谱的选择定则...
关键词：光电子学 AlGaInP/GaInP MQW 拉曼光谱 耦合电子(空穴)气-纵光学声子模 
量子级联激光器调制特性的电路模拟被引量：4
《光学学报》2004年第10期1344-1348,共5页陈贵楚 范广涵 陈练辉 
国家科技攻关计划 (0 0 0 6 8)资助课题
量子级联激光器 (QCL)是波长范围在中远红外的一类新型激光器 ,到目前为此 ,对于它的脉冲响应及调制响应等动态特性了解并不是很深入 ,为此以贝尔实验室在 1994年发明的量子级联激光器器件模型为基础 ,通过分析量子级联激光器中的电子...
关键词：半导体激光器 调制响应 电路模拟 量子级联激光器 
掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：1
《发光学报》2004年第4期379-382,共4页陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 
国家科技攻关计划资助项目 ( 0 0 0 68)
在AlGaInP四元系双异质结发光二极管 (DH LED)的材料生长过程中 ,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性 ,这对LED的发光不利。通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的p型掺杂程度下 ,限制...
关键词：ALGAINP AL组分 P型掺杂 发光效率 
掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响被引量：3
《光子学报》2004年第3期310-313,共4页陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 
国家科技攻关计划(编号00068)基金项目
通过分析载流子在发光二极管 (LED)双异质结中的输运情况 ,得到了在不同的P型掺杂程度下 ,限制层Al组分与LED发光效率的关系 ,从而可以探索P型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律 。
关键词：A1GalnP A1组分 掺杂 发光效率 
A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析被引量：3
《量子电子学报》2003年第5期595-598,共4页陈贵楚 范广涵 陈练辉 刘鲁 
国家科技攻关计划基金资助(00-068)。
鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光...
关键词：A1GaInP四元系材料 双异质结发光二极管 DH—LED AL组分 铝镓铟磷材料 
GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
《华南师范大学学报（自然科学版）》2003年第3期60-63,共4页陈练辉 范广涵 陈贵楚 吴文光 李华兵 
国家科技攻关计划基金资助项目(00-068)
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
关键词：GaInP/(AlxGa1-x)InP 多量子阱 光荧光特性 发光二极管 半导体 光荧光谱 发光锋 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部