垂直腔面发射半导体激光器

作品数：45被引量：143H指数：8
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王立军宁永强秦莉张星刘云更多>>
相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院北京工业大学更多>>
相关期刊：《光学精密工程》《半导体光电》《量子电子学报》《兵工学报》更多>>
相关基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
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垂直腔面发射半导体激光器氧化优化研究被引量：1
《中国激光》2024年第8期16-22,共7页陈中标 崔碧峰 郑翔瑞 杨春鹏 闫博昭 王晴 高欣雨 
国家自然科学基金(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金(4172011)。
GaAs基垂直腔面发射激光器在干法刻蚀过程中,台面侧壁形成的缺陷会导致器件出现层结构分层、断裂以及氧化孔不规则等问题。针对该问题,提出了一种干法刻蚀与硫化铵钝化相结合的氧化前预处理方案,研究了硫化铵钝化处理对器件层结构以及...
关键词：激光器 垂直腔面发射激光器 氧化孔 湿法氧化 钝化 干法刻蚀 
一种新型环形上DBR刻蚀微结构VCSEL及其空心光束
《红外与毫米波学报》2023年第4期462-467,共6页逄超 晏长岭 杨静航 钱冉 李奕霏 
Supported by Jilin Province Science and Technology Department project(20220101122JC);Changchun University of Science and Technology project(627011102)。
设计了带有质子注入高阻区的刻蚀微结构面发射半导体激光器结构,使得从出光口到上DBR形成环形波导,进而直接产生空心激光束输出。使用FDTD软件计算了刻蚀微结构VCSEL的光场分布,得到的环形模式图样在不同模式数目下都能保持空心光束的...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 空心激光束 刻蚀结构 质子注入 
百瓦级近衍射极限VCSEL泵浦激光器被引量：1
《强激光与粒子束》2022年第8期23-28,共6页李雪鹏 杨晶 筵兴伟 陈中正 袁磊 杨俊波 王小军 彭钦军 许祖彦 
报道了高功率、高光束质量的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)侧泵的Nd:YAG激光振荡器。从VCSEL泵浦源的主动冷却的热沉结构出发,设计了5个227 W的VCSEL线阵,并且通过优化侧面泵浦大口径激光棒的结构,研制成了具备480 W输出能力的棒状...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 激光振荡器 近衍射极限光束质量 高功率 棒状激光器 
垂直腔面发射半导体激光器关键技术及产业化
《科技成果管理与研究》2021年第6期92-92,F0003,共2页张星 
中国科学院科技服务网络计划项目(项目编号:KFJ-STS-SCYD-310)资助.
垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)是激光发射方向与芯片表面垂直的新型半导体激光器。VCSEL的垂直短腔结构使其阈值电流可低至毫安量级,适合配置到各种供电资源有限的便携式设备或子系统中;VCSEL可通过二维面阵结构提高输出功率,而整个...
关键词：半导体激光器 阈值电流 激光发射 便携式设备 远距离探测 VCSEL 短腔 平行光 
液晶可调谐VCSEL中高对比光栅结构的设计被引量：4
《激光与光电子学进展》2020年第1期122-128,共7页郑舟 邹永刚 石琳琳 房俊宇 王海珠 范杰 崔超 徐莉 马晓辉 
吉林省教育厅“十三五”科学技术项目(JJKH20190543KJ);吉林省科技发展计划项目(20180519018JH,20190302052GX);长春理工大学校青年基金(XQNJJ-2018-19)。
基于严格耦合波理论设计了一种以液晶为低折射率材料的Si-SiO2复合高对比光栅,该光栅适合用于实现液晶可调谐功能的垂直腔面发射半导体激光器件。当940nm的TM偏振光入射时,通过优化参数可得到宽带(Δλ=256nm)高反射率(R>99%)且具有偏...
关键词：激光器 可调谐垂直腔面发射半导体激光器 高对比光栅 液晶 高反射率 耦合波理论 
垂直腔面发射半导体激光器腔模位置对器件输出波长的影响研究
《兵工学报》2019年第12期2482-2487,共6页梁静 贾慧民 苏瑞巩 唐吉龙 房丹 冯海通 张宝顺 魏志鹏 
国家重点研发计划项目(2017YFB0402800);国家自然科学基金项目(61504010、61504022);吉林省科技厅中青年科技创新领军人才及团队项目(20160519007JH);吉林省科技厅重大科技招标专项项目(20160203015GX)
为得到高温环境下894. 6 nm稳定波长激光输出的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL),设计并制备了腔模位置不同的VCSEL芯片;通过对VCSEL腔模位置、输出波长和温漂系数的测试分析,研究了腔模位置对器件输出波长的影响,发现腔模位置与输出波...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 腔模位置 输出波长 光学厚度 反射带宽 
垂直腔面发射半导体激光器的特性及其研究现状被引量：13
《激光与光电子学进展》2018年第5期49-61,共13页李玉娇 宗楠 彭钦军 
国家自然科学基金青年基金(61505226)
与传统的边发射半导体激光器相比,垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有光束质量好、阈值电流低、易于二维列阵集成和制造成本低廉等优点。近年来,以VCSEL为基础发展起来的电抽运和光抽运垂直外腔面发射激光器(VECSEL),在获得高的输出功率和...
关键词：激光器 垂直腔面发射半导体激光器 电抽运 光抽运 高功率 可调谐技术 锁模技术 
垂直腔面发射半导体激光器单管的光束质量研究被引量：3
《中国激光》2015年第B09期39-45,共7页崔锦江 董宁宁 徐建根 许杰 林涛 
江苏省自然科学基金（BK2012188）、江苏省产学研联合创新项目（BY2013034）、苏州市医疗器械与新医药专项（ZXY20J3005）、苏州市医疗器械与新医药专项（ZXY201429）、吉林省与中国科学院省院合作项目（2014SYHZ0005）
研究了大功率底发射垂直腔面发射激光器（VCSEL）单管器件光束质量，分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M^2因子、远场发散角、近场及远场光强分布等的影响。使用有限元的方法对不同电极及不同氧化孔径时有源区中电流密度的分布进...
关键词：激光器 垂直腔面发射激光器 单管器件 光束质量 
808nm高功率VCSEL刻蚀工艺研究
《长春理工大学学报（自然科学版）》2014年第6期8-11,共4页冯源 晏长岭 郝永芹 王勇 芦鹏 李洋 李再金 
为提高808nm高功率VCSEL的光电性能,对不同实验条件下的氧化限制型VCSEL湿法刻蚀工艺进行了实验研究,制备出多环形电极结构VCSEL器件。实验中采用H3PO4系腐蚀液替代以往常用的H2SO4系腐蚀液,通过改变湿法刻蚀工艺的温度条件及腐蚀液的...
关键词：垂直腔面发射半导体激光器 高功率 湿法刻蚀 燕尾结构 刻蚀速率 
大功率VCSEL器件的空间相干性的研究（英文）被引量：2
《中国激光》2014年第12期33-38,共6页贾鹏 秦莉 崔锦江 李秀山 陈泳屹 张建伟 张建 张星 宁永强 
国家自然科学基金(61234004,61106068,61176045,61306086,61306070);吉林省科技厅项目(20140101172JC,20130206006GX);江苏省自然科学基金(BK2012188)
由Van Cittert-Zernike提出的部分相干光定理出发,研究了大功率垂直腔面发射激光器（VCSEL）及其列阵器件的空间相干特性。采用杨氏双缝干涉实验装置得到980nm波段VCSEL单管器件的干涉条纹图样,再将干涉图样转换进行灰度读取处理得到光...
关键词：相干光学 相干特性 双缝干涉 垂直腔面发射半导体激光器 空间相干度 
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