A1GaInP四元系材料双异质结发光二极管的最佳Al组分分析  

Optimum Al Composition Analysis on AlGalnP Quaternary Double Heterojunction Light-emitting Diodes

作　　者：陈贵楚[1] 范广涵[1] 陈练辉[1] 刘鲁[1] 

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州510631

出　　处：《量子电子学报》2003年第5期595-598,共4页Chinese Journal of Quantum Electronics

基　　金：国家科技攻关计划基金资助(00-068)。

摘　　要：鉴于双异质结发光二极管(DH—LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强。这个最佳Al组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义。In the case of no determination of Al composition on blocking layer, this paper has proved that there is an optimum Al composition so that carriers in undoped layer would recombine on the largest scale by analyzing their transportion in double heterojunction. The definition of optimum Al composition would have a guidance to device structure's design and MOCVD epitaxy.

关 键 词：A1GaInP四元系材料 双异质结发光二极管 DH—LED AL组分 铝镓铟磷材料 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]