低温常压化学汽相淀积二氧化硅膜和掺磷二氧化硅工艺研究  

作　　者：陈胜义 

出　　处：《延河集成电路》1992年第2期47-51,共5页

关 键 词：氧化物半导体 汽相淀积 二氧化硅 

分 类 号：TN304.21[电子电信—物理电子学]