Lattice Strain Induced by Ion Implantation in AlGaAs/AlGaInAs Quantum Well Samples 被引量：1

出　　处：《Chinese Physics Letters》2002年第4期599-601,共3页中国物理快报（英文版）

分类号：TN304.22[电子电信—物理电子学] O47[理学—半导体物理]

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