检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张秋琳[1] 冯宝华[1] 张东香[1] 张治国[1] 赵志伟[2] 邓佩珍[1] 徐军[1] 徐晓东[1] 王勇刚[3] 马骁宇[1]
机构地区:[1]中国科学院物理研究所光物理重点实验室北京100080 [2]中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800 [3]中国科学院半导体研究所,北京100083
出 处:《量子电子学报》2004年第1期120-120,共1页Chinese Journal of Quantum Electronics
摘 要:利用材料可饱和吸收特性的被动调Q技术以其价格便宜和结构简单等优点在中小功率激光中被广泛应用.半导体材料GaAs具有明显的光学非线性,已用作Nd:YAG激光器的被动调Q开关。本文采用GaAs,既作为调Q元件,又作为输出耦合镜,成功地实现了二极管激光器泵浦Yb:YAG微片激光器的被动调Q运转。
分 类 号:TN248[电子电信—物理电子学]
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