A New Lifetime Prediction Model for pMOSFETs Under V_g=V_d/2 Mode with 2.5nm Oxide  

在V_g=V_d/ 2应力模式下 2.5nm氧化层pMOSFETs的新寿命预测模型(英文)

作　　者：胡靖[1] 赵要[1] 许铭真[1] 谭长华[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第2期152-157,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划 ( No.G2 0 0 0 0 3 65 0 3 ); Motorola Digital DNA Laboratory资助项目~~

摘　　要：Gate current for pMOSFETs is composed of direct tunneling current,channel hot hole,electron injection current,and highly energetic hot holes by secondary impact ionization.The device degradation under V g=V d/2 is mainly caused by the injection of hot electrons by primary impact ionization and hot holes by secondary impact ionization,and the device lifetime is assumed to be inversely proportional to the hot holes,which is able to surmount Si-SiO 2 barrier and be injected into the gate oxide.A new lifetime prediction model is proposed on the basis and validated to agree well with the experiment.研究了 2 .5 nm超薄栅短沟 p MOSFETs在 Vg=Vd/ 2应力模式下的热载流子退化机制及寿命预测模型 .栅电流由四部分组成 :直接隧穿电流、沟道热空穴、一次碰撞电离产生的电子注入、二次碰撞电离产生的空穴注入 .器件退化主要是由一次碰撞产生的电子和二次碰撞产生的空穴复合引起 .假设器件寿命反比于能够越过 Si- Si O2 界面势垒的二次碰撞产生的二次空穴数目 ,在此基础上提出了一个新的模型并在实验中得到验证 .

关 键 词：hot carriers recombination electron injection secondary impact ionization 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]