Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的欧姆接触研究  

作　　者：陈志忠[1] 秦志新[1] 胡晓东[1] 于彤军[1] 童玉珍[1] 丁晓民[1] 杨志坚[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室，北京100871

出　　处：《高技术通讯》2004年第2期36-39,共4页Chinese High Technology Letters

摘　　要：通过电流-电压(I—V)特性和传输线方法(TLM)测量研究在n型CaN上淀积Ti／Al／Ni／Au电极形成欧姆接触的机制。Ni／Au作为Ti／Al的覆盖层起了阻止Ti，Al，Au的互扩散及抗接触层氧化的作用。在400℃到900℃范围内，Ti／Al／Ni／Au与n型GaN的接触电阻随温度升高先略有上升，到500℃以后单调下降。而表面形貌却在合金温度高于600℃以后随温度升高逐步变差。通过两步合金法得到了n—GaN上Ti／Al／Ni／Au形成的接触电阻低达9．65×10^-7Ωcm^2。最后还对两步合金法形成n—GaN欧姆接触的机制进行了讨论。

关 键 词：n型氮化镓 欧姆接触 电流-电压特性 传输线法 两步合金法 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]