PbTe单晶薄膜的热壁外延  被引量:2

THE HOT WALL EPITAXY OF PbTe SINGLE CRYSTAL FILM

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作  者:杨玉琨[1] 吴连民[1] 杨易[1] 唐万新[1] 赵斌[1] 

机构地区:[1]吉林大学分析测试实验中心,130023

出  处:《真空科学与技术》1992年第4期339-341,共3页Vacuum Science and Technology

基  金:国家高技术计划新概念;新构思探索研究资助项目

摘  要:介绍了一种简单的HWE装置和利用这一装置在BaF_2(111)面上生长PbTe单晶外延层的工艺。扫描电镜、X-光衍射和霍尔测量表明,PbTe单晶外延层是完美的。The present paper introduces a simple HWE apparatus and the technology of using this apparatus to grow PbTe single crystal epilayers on BaF_2 (111) surface. The analysis of scanning electron microscopy. X-ray diffraction and Hall measurement show that the evilayer of PbTe single crystal is reflect.

关 键 词:薄膜 单晶 PBTE 外延层 

分 类 号:O484.1[理学—固体物理]

 

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