n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究  

Study of n-Type Schottky Barrier Tunneling Transistor Characterizations

作　　者：杜刚[1] 刘弋波[1] 孙雷[1] 刘晓彦 韩汝琦[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子所,北京100871

出　　处：《固体电子学研究与进展》2004年第1期10-14,共5页Research & Progress of SSE

摘　　要：利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。The characterizations of n type Schottky Barrier Tunneling Transistor (SBTT) were simulated using a Monte Carlo Device Simulator. The effects of channel doing, source/drain contact area depth and gate oxide thickness were also discussed in this paper.

关 键 词：蒙特卡罗器件 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 输出特性 转移特性 源漏硅化物区深度 栅氧化层厚度 

分 类 号：TN386.3[电子电信—物理电子学]