刘弋波

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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：流体动力学场效应晶体管半导体器件模拟短沟效应量子效应更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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n沟肖特基势垒隧穿晶体管特性研究
《固体电子学研究与进展》2004年第1期10-14,共5页杜刚 刘弋波 孙雷 刘晓彦 韩汝琦 
利用自主开发的蒙特卡罗器件模拟软件 ,对 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 (SBTT)的输出特性和转移特性进行了模拟 ,详细分析了沟道区掺杂浓度 ,源漏硅化物区深度以及栅氧化层厚度对 SBTT特性的影响。
关键词：蒙特卡罗器件 n沟肖特基势垒隧穿晶体管 输出特性 转移特性 源漏硅化物区深度 栅氧化层厚度 
亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期144-147,共4页刘弋波 刘恩峰 刘晓彦 韩汝琦 
利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。
关键词：流体动力学 双栅MOSFET 阈值电压 短沟效应 电子温度 漂移速度 
纳米级MOSFET的模拟
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期148-152,共5页刘晓彦 刘恩峰 杜刚 刘弋波 夏志良 韩汝琦 
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应...
关键词：纳米尺度 半导体器件模拟 流体动力学 量子效应 MOSFET 
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