纳米级MOSFET的模拟  

作　　者：刘晓彦 刘恩峰[1] 杜刚[1] 刘弋波[1] 夏志良[1] 韩汝琦[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学系，北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期148-152,共5页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应用中能够适应模拟纳米级MOSFET的要求，用于纳米级MOSFET的特性研究和优化设计。

关 键 词：纳米尺度 半导体器件模拟 流体动力学 量子效应 MOSFET 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学]