半导体器件模拟

作品数：25被引量：6H指数：2
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基于MATLAB的PN结形成过程蒙特卡罗程序研发
《辽宁大学学报（自然科学版）》2024年第2期179-183,共5页龚丽 赵宇 王春龙 徐攀峰 刘雯 李一杰 梁友君 许媛媛 朱江 康晓民 康晓珅 
国家自然科学基金项目(12105132);辽宁大学本科教学改革项目(JG2020KCSZ066,G2018ZC72,JG2020YBXM054,JG2020YBXM057,JG2018ZC72);教育部产学合作协同育人项目(230703494261841)。
本文基于蒙特卡罗随机行走的思想,用概率和随机抽样模拟PN结形成过程中载流子的运动以及动态分布,解决平衡态PN结电势所满足的泊松方程过于复杂、难以计算以及模拟的问题.利用MATLAB软件将演化过程中的载流子的运动过程可视化,并且将平...
关键词：蒙特卡罗方法 PN结 随机抽样 半导体器件模拟 
基于集成众核的3D蒙特卡罗半导体器件模拟器
《计算机工程与科学》2015年第4期621-627,共7页方民权 张卫民 张理论 曾琅 刘晓彦 尹龙祥 
国家自然科学基金资助项目(41375113;61272146)
3D蒙特卡罗器件模拟计算量大,计算量随网格与粒子数增加而急剧增加。通过分析3D蒙卡模拟加速热点和进一步可并行性,研究有效电势方法的集成众核并行方案;研究粒子自由飞行、统计模拟信息、计算表面粗糙散射等热点并行方案,最终实现基于C...
关键词：蒙特卡罗 半导体器件模拟 集成众核 有效电势方法 粒子自由飞行 
基于量子流体动力学模型的半导体器件模拟
《电子设计工程》2013年第2期140-143,共4页董果香 
基于量子流体动力学模型,自主编制程序开发了半导体器件仿真软件。其中包括快速、准确数值离散方法和准确的物理模型。基于对同一个si双极晶体管的模拟,与商用软件有近似的仿真结果。表明量子流体动力学模型具有可行性,同时也表明数值...
关键词：量子流体动力学模型 仿真 物理模型 数值计算 
半导体器件模拟方法研究
《大众科技》2011年第10期11-12,8,共3页刘影 丁红梅 
主要介绍了半导体器件模拟中的几种物理模型和三角形网格自适应划分的算法。并以泊松方程为例,介绍了如何在网格中进行方程的离散化,以及后期计算方程组的几种数值方法并比较各种算法的优缺点,同时得到解的示意图。
关键词：半导体器件 器件模拟 网格划分 数值计算 
用于半导体器件模拟的高精度三次样线法
《固体电子学研究与进展》2008年第4期483-487,544,共6页刘战 沈静静 顾晓峰 于宗光 胡西多 臧佳锋 
采用三次样线方法(SADI)与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型(DD)模型,并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约35%,并明显减少方程的求解时间。
关键词：三次样线方法 高阶紧致差分 器件模拟 
集成电路可制造性设计中器件参数的提取
《微纳电子技术》2005年第12期578-582,共5页霍林 郭琦 李惠军 
分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。
关键词：超大规模集成电路 超深亚微米 可制造性设计 半导体器件模拟 
一类半导体器件模拟的Galerkin-MMOCAA方法
《山东大学学报（理学版）》2005年第4期16-22,共7页陈传军 
国家重点基础研究专项经费资助项目(G1999032803);国家自然科学基金资助项目(10372052;10271066);教育部博士点基金资助项目(20030422047)
用MMOCAA格式(调整对流的特征线修正方法)处理半导体器件模拟的对流占优扩散问题,通过对对流项进行调整,仅增加少量计算量,使该问题既保持了全局质量守恒性质,又具有MMOC格式(特征线修正技术)的所有优点.进行了理论分析,得到了最优阶L2...
关键词：半导体器件 对流占优 MMOC格式 MMOCAA格式 误差估计 
一种半导体器件模拟的新方法
《大众科技》2005年第3期21-22,13,共3页刘珺 龚仁喜 
文章提出了一种半导体器件模拟的新方法,这种新方法将Adomian的变量分解思想用于强耦合、强非线性的半导体器件基本方程组的求解中。
关键词：半导体器件 计算机模拟 Adomian方法 变量分解 
半导体器件模拟中的散射机制被引量：1
《贵州大学学报（自然科学版）》2004年第4期360-364,共5页张子砚 吴广国 
从量子力学的微挠理论角度分析散射机制的基本理论,总结了半导体中几种重要的散射机制并给出了散射率的一般表达式,给出一具体的例子,分析了Si中的散射机制,用蒙特卡罗方法模拟了Si中的各种散射机制的散射率和其中载流子的运动状态。
关键词：散射机制 微挠理论 散射率 蒙特卡罗方法 
纳米级MOSFET的模拟
《Journal of Semiconductors》2003年第B05期148-152,共5页刘晓彦 刘恩峰 杜刚 刘弋波 夏志良 韩汝琦 
利用从量子波尔兹曼方程简化得到的双量子修正和计入载流子动量的全流体动力学模型，编制了流体动力学半导体器件模拟程序，并对栅长25nm的体硅MOSFET和栅长30nm的FinFET结构进行了模拟。模拟结果表明，改进后的流体动力学模型在工程应...
关键词：纳米尺度 半导体器件模拟 流体动力学 量子效应 MOSFET 
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