集成电路可制造性设计中器件参数的提取  

The Device Parameter Extraction in the IC Design for Manufacturability

作　　者：霍林[1] 郭琦[1] 李惠军[1] 

机构地区：[1]山东大学孟尧微电子研发中心,济南250100

出　　处：《微纳电子技术》2005年第12期578-582,共5页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。Hydro-dynamics model and drift-diffusion model strate current of different channel length NMOSFETs, and are used respectively to extract subthrough different channel lengths and different peak doping of LDD these infulences in NMOSFET characteristic are studied. The device parameter extraction and optimization in the IC design for manufacturability are introduced.

关 键 词：超大规模集成电路 超深亚微米 可制造性设计 半导体器件模拟 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]