亚50nm双栅MOS场效应晶体管的流体动力学模拟  

作　　者：刘弋波[1] 刘恩峰[1] 刘晓彦 韩汝琦[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所，北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2003年第B05期144-147,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：利用自主开发的流体动力学模拟软件对亚50nm沟长双栅MOS场效应晶体管的特性进行了模拟，比较了不同沟道长度时电子温度和漂移速度沿沟道方向的分布，并讨论了器件的短沟效应。

关 键 词：流体动力学 双栅MOSFET 阈值电压 短沟效应 电子温度 漂移速度 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]