700V单晶扩散型LDMOS的特性与模型  

Characterization and Modeling of a 700 V Single Crystal Diffused LDMOS Device

作　　者：苏健[1] 方健[1] 武洁[1] 张波 李肇基[1] 罗萍[1] 

机构地区：[1]电子科技大学IC设计中心,四川成都610054

出　　处：《微电子学》2004年第2期192-194,共3页Microelectronics

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439080101DZ0202)

摘　　要：　文章对耐压700V的单晶扩散型LDMOS进行了研究。借助二维数值模拟器MEDICI,详细分析了LDMOS的准饱和特性产生机理,以及准漏极(quasidrain)的相关特性;采用宏模型的建模概念与方法,给出了LDMOS的等效电路模型,用于电路仿真器HSPICE,取得了较好的仿真结果。A 700 V single crystal diffused LDMOS device is investigated. Analyses are made on the quasi-saturation mechanisms of the LDMOS and the characteristics of the quasi-drain by using 2-D numerical simulator MEDICI. The model used in the paper is a sub-circuit model based on the concept of macro model. And good results are obtained when it is used in HSPICE.

关 键 词：LDMOS 单晶扩散 准饱和 准漏极 宏模型 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]