有n缓冲层SOI RESURF结构的电场分布解析模型  

An Analytical Model for Electric Field Distribution in SOI RESURF Structure with n Buffer Layer

作　　者：方健[1] 李肇基[1] 张波[1] 

机构地区：[1]电子科技大学微电子所,四川成都610054

出　　处：《微电子学》2004年第2期207-210,214,共5页Microelectronics

基　　金：国家"十五"预先研究资助项目(41308020405);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439020103DZ0201)

摘　　要：　提出了有n缓冲层SOIRESURF结构的电场分布解析模型,采用MEDICI数值仿真,验证了上述模型的正确性。基于所建立的解析模型,获得了缓冲层的最优杂质浓度分布,提出了提高SOIRESURF结构耐压的缓冲层分段变掺杂新结构。An analytical model for the electric field distribution in SOI RESURF structure with n buffer layer has been developed. MEDICI simulation is used to verify the analytical model. Based on the model, an optimal impurity profile for the buffer layer is obtained. To improve the breakdown voltage, a novel SOI RESURF structure with step doping profile in the buffer layer is proposed.

关 键 词：SOI RESURF 电场分布 解析模型 缓冲层 分段变掺杂 智能功率集成电路 

分 类 号：TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]