超辐射发光管端面AR膜的设计与制备  

Design and fabrication of AR film for super-luminescent diode facets

作　　者：常进[1] 张军[1] 王定理[1] 刘应军[1] 甘毅[1] 李林松[1] 黄晓东[1] 刘涛[1] 邬江帆[1] 

机构地区：[1]武汉邮电科学研究院光迅科技有限责任公司,湖北武汉430074

出　　处：《光学仪器》2004年第2期51-54,共4页Optical Instruments

基　　金：国家"863计划"资助项目(2003AA311080)

摘　　要：在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。Using a triple-layer antireflection coating on facets of InGaAsP semiconductor laser chips,the minimum facet reflectivity <0.03% for the center-wavelength of 1310nm and the super-luminescent diode of ASE ripple<0.5dB are obtained.

关 键 词：宽带增透膜 超辐射发光管 极低剩余反射率 放大自发辐射 半导体激光器 三层减反射膜 

分 类 号：O484.41[理学—固体物理]