大面积等离子体源  

出　　处：《表面技术》2004年第2期75-75,共1页Surface Technology

关 键 词：等离子体处理 等离子体源 腔室壳体 密封 东京电子株式会社 专利 

分 类 号：TG174.442[金属学及工艺—金属表面处理]