1.8V 5.2GHz差分结构CMOS低噪声放大器  

1.8 V 5.2 GHZ Differential CMOS Low Noise Amplifier

作　　者：李竹[1] 陈志恒[1] 王志功[1] 

机构地区：[1]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096

出　　处：《电子器件》2004年第1期72-74,142,共4页Chinese Journal of Electron Devices

摘　　要：无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单版集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5.2GHz低嗓声放大器。在1.8V电压下,工作电流为24mA增益15.8dB噪声系数为1.4dB。A differential cascade low noise amplifier (LNA) using a standard 0.18 μm CMOS process is described. It provides a forward gain (S21) of 15.8 dB. The simulation noise figure is 1.4 dB, while drawing 24 mA current from a 1.8V supply.

关 键 词：CMOS工艺 低噪声放大器 集成螺旋电感 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]