InSb纳米颗粒的制备与原子力显微镜  

InSb Nano-pellet Preparation and the Atomic Force Microscope

作　　者：何焰兰[1] 孙全[1] 吕志辉[1] 

机构地区：[1]国防科技大学理学院,湖南长沙410073

出　　处：《国防科技大学学报》2004年第2期17-20,共4页Journal of National University of Defense Technology

基　　金：国防科技大学预研基金项目

摘　　要：为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜。用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面。实验结果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒。In order to further research the physics characteristics of nano-semiconductor, we get the nanometer size InSb particle films deposited on the SiO_2 substrate by using vacuum evaporation. The atomic force microscope was applied to survey the surface morphology of the films. The results show that the films are composite of nano-particles of InSb. From the analysis of the scanning images of these samples, the result of the experiment proves that by changing the plating time, different sizes of InSb particle can be formed.

关 键 词：纳米InSb颗粒 真空蒸发沉积 原子力显微镜 

分 类 号：TB333[一般工业技术—材料科学与工程]