基于BSIM深亚微米级MOSFET短沟道效应建模和特征提取方法研究  

Modeling and Characterization of Deep-Submicron MOSFET with Short-Channel Effect Based on BSIM TM

作　　者：赵阳[1] Parke Stephen Burke Franklyn 

机构地区：[1]南京师范大学电气与电子工程学院,江苏南京210042 [2]美国爱达荷州Boise州立大学电气与计算机系

出　　处：《电子学报》2004年第5期841-844,共4页Acta Electronica Sinica

基　　金：江苏省自然科学基金(No.BK2003099);教育部留学回国人员科研启动基金(No.教外司[2003]406);部分受美国国家自然科学基金(No.EPS9977454)

摘　　要：本文基于BSIM标准研究了现代深亚微米级MOSFET器件的建模和特征提取方法 ,着重在于短沟道效应方面 ,其中测试样品由MicronTM公司提供 ,最短沟道长度仅为 0 16微米 .内容包括一般短沟道效应、基板效应和漏极感应势垒降低效应 (简称DIBL效应 )等 .研究表明 ,实验数据和BSIM模型结果较好吻合 ,证明文中方法的有效性以及较好的应用前景 .The methodology of modeling and characterization of modern MOSFET, with emphasis on short-channel effects of deep-submicorns devices up to 0.16 μm, is researched based on BSIM. The threshold voltage model of MicronTM bulk device is made to demostrate the processing of modeling and characterization. The results of device model, consisting of normal short-channel effect, body effect and DIBL (drain induced barrier lowering) effect, show good agreement between BSIM model and experimental data which proves effectiveness and good potential of the methodology.

关 键 词：MOSFET器件 建模与特征提取 短沟道效应 BSIM模型 

分 类 号：TN722[电子电信—电路与系统]