HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究  

HWE GROWN PbTe SINGLE CRYSTAL FILM AND STUDY OF GROWING MECHANISM

作　　者：杨玉琨[1] 杨易[1] 赵斌[1] 吴连民[1] 姜亦忠[1] 刘岩峰[1] 

机构地区：[1]吉林大学分析测试实验中心,长春130023

出　　处：《发光学报》1992年第3期249-255,共7页Chinese Journal of Luminescence

摘　　要：本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.Present paper covers a simple HWE apparatus and the technique to grow PbTe (111) single crystal film on BaF2 (111) substrate by HWE, and the discussion of growing mechanism,

关 键 词：热壁外延 薄膜 单晶 碲化铅 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理]