Optimized Layers Design for AlGaN/GaN/InGaN Symmetrical Separate Confinement Heterojunction Multi-Quantum Well Laser Diode  

AlGaN/GaN/InGaN对称分别限制多量子阱激光器的优化设计(英文)

作　　者：陆敏[1] 方慧智[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第5期492-496,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2和 60 2 760 3 4);国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 1AA3 13 110,2 0 0 1AA3 13 0 60和2 0 0 1AA3 13 14 0 )资助项目~~

摘　　要：Waveguide characteristics of symmetrical separate confinement heterojunction multi quantum well (SCH MQW) AlGaN/GaN/InGaN laser diode (LD) are studied by using one dimensional (1 D) transfer matrix waveguide approach.Aiming at photon confinement factor,threshold current,and power efficiency,layers design for SCH MQW LD is optimized.The optimal layers parameters are 3 periods In 0.02 Ga 0.98 N/In 0.15 Ga 0.85 N QW for active layer,In 0.1 Ga 0 9 N for waveguide layer with 90nm thick,and 120×(2 5nm/2 5nm) Al 0.25 Ga 0 75 N/GaN supper lattices for cladding layer with the laser wavelength of 396 6nm.采用一维传递矩阵法模拟计算了 Al Ga N/Ga N/In Ga N对称分别限制多量子阱激光器 (发射波长为 396 .6 nm)的波导特性 .以光限制因子、阈值电流密度和功率效率作为优化参量 ,获得激光器的优化结构参数为 :3周期量子阱In0 .0 2 Ga0 .98N/In0 .1 5Ga0 .85N(10 .5 nm/3.5 nm)作为有源层 ,90 nm In0 .1 Ga0 .9N为波导层 ,12 0周期 Al0 .2 5Ga0 .75N/Ga N(2 .5 nm /2 .5 nm )

关 键 词：AlGaN/GaN/InGaN MQW SCH 

分 类 号：TN248[电子电信—物理电子学]