方慧智

作品数：5被引量：12H指数：2
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供职机构：北京大学物理学院更多>>
发文主题：GANMOCVD氮化镓MOCVD生长缓冲层更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
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MOCVD侧向外延GaN的结构特性被引量：2
《发光学报》2005年第6期748-752,共5页方慧智 陆敏 陈志忠 陆羽 胡晓东 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金(60376005;60276010);国家"863"计划(2001AA313140;2001AA313060)资助项目
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三...
关键词：侧向外延 金属有机化学气相沉积 氮化镓 原子力显微镜 拉曼散射 
Etch-Pits of GaN Films with Different Etching Methods被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第11期1376-1380,共5页陆敏 常昕 方慧智 杨志坚 杨华 黎子兰 任谦 张国义 章蓓 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2,60 2 760 3 4);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 1AA3 13 110,2 0 0 1AA3 13 0 60和 2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电子国家重点实验室开放课题资助项目~~
High quality GaN films on (0001) sapphire substrates were grown by a commercial MOCVD system (Thomas Swan Corp.).The etch pits and threading dislocations(TDs) in GaN films have been studied by chemical etching methods...
关键词：GAN EPD TD 
多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响被引量：9
《Journal of Semiconductors》2004年第5期526-529,共4页陆敏 方慧智 黎子兰 陆曙 杨华 章蓓 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60 0 770 2 2 ;60 2 760 3 4);国家科技部 863项目(863 -2 0 0 1AA3 13 110;2 0 0 1AA3 13 0 60和 2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电国家重点实验室开放项目资助~~
采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结...
关键词：MOCVD GAN 缓冲层 
Optimized Layers Design for AlGaN/GaN/InGaN Symmetrical Separate Confinement Heterojunction Multi-Quantum Well Laser Diode
《Journal of Semiconductors》2004年第5期492-496,共5页陆敏 方慧智 张国义 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2和 60 2 760 3 4);国家高技术研究发展计划 (批准号:2 0 0 1AA3 13 110,2 0 0 1AA3 13 0 60和2 0 0 1AA3 13 14 0 )资助项目~~
Waveguide characteristics of symmetrical separate confinement heterojunction multi quantum well (SCH MQW) AlGaN/GaN/InGaN laser diode (LD) are studied by using one dimensional (1 D) transfer matrix waveguide appro...
关键词：AlGaN/GaN/InGaN MQW SCH 
腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性
《Journal of Semiconductors》2004年第4期415-418,共4页陆敏 方慧智 陆曙 黎子兰 杨华 章蓓 张国义 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2 ;60 2 760 3 4) ;国家高技术研究发展计划 ("863") (批准号 :863 -2 0 0 1AA3 13 110 ;2 0 0 1AA3 13 0 60 ;2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电子学国家重点实验室资助项目~~
利用熔融 KOH液对单层 Ga N腐蚀后进行二次 MOCVD外延生长 ,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试 ,实验结果表明二次生长 2 h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性 .在腐蚀坑处 ,坑...
关键词：MOCVD GAN 穿透位错 
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