陆曙

作品数：5被引量：18H指数：2
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供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
发文主题：MOCVDMOCVD生长INGANGANINGAN薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《发光学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
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多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响被引量：9
《Journal of Semiconductors》2004年第5期526-529,共4页陆敏 方慧智 黎子兰 陆曙 杨华 章蓓 张国义 
国家自然科学基金(批准号:60 0 770 2 2 ;60 2 760 3 4);国家科技部 863项目(863 -2 0 0 1AA3 13 110;2 0 0 1AA3 13 0 60和 2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电国家重点实验室开放项目资助~~
采用多低温缓冲层法和高低温联合缓冲层法在 MOCVD系统上生长 Ga N外延膜 .对薄膜进行了 X射线衍射和光致发光谱 (PL)测试 ,(0 0 0 2 ) X射线摇摆曲线和 PL 谱的半高宽与常规的单低温缓冲层法制备的薄膜相比均有不同程度的改善 .实验结...
关键词：MOCVD GAN 缓冲层 
腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性
《Journal of Semiconductors》2004年第4期415-418,共4页陆敏 方慧智 陆曙 黎子兰 杨华 章蓓 张国义 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2 ;60 2 760 3 4) ;国家高技术研究发展计划 ("863") (批准号 :863 -2 0 0 1AA3 13 110 ;2 0 0 1AA3 13 0 60 ;2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电子学国家重点实验室资助项目~~
利用熔融 KOH液对单层 Ga N腐蚀后进行二次 MOCVD外延生长 ,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试 ,实验结果表明二次生长 2 h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性 .在腐蚀坑处 ,坑...
关键词：MOCVD GAN 穿透位错 
MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离
《Journal of Semiconductors》2004年第3期279-283,共5页陆曙 童玉珍 陈志忠 秦志新 于彤军 胡晓东 张国义 
国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 1AA3 13 110 );国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 10 )资助项目~~
利用 X射线衍射 (XRD)测量用 MOCVD生长的 In Ga N样品 ,观察到 In N相 .通过 X射线衍射理论 ,计算得到 In N相在 In Ga N中的含量 .通过退火和变化生长条件发现 In N相在 In Ga N薄膜中的含量与生长时 N2 载气流量、反应室压力和薄膜...
关键词：相分离 INGAN INN XRD MOCVD 
MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED被引量：9
《发光学报》2003年第1期107-109,共3页李忠辉 杨志坚 于彤军 胡晓东 杨华 陆曙 任谦 金春来 章蓓 张国义 
国家自然科学基金 ( 6 0 2 76 0 10 );国家 86 3计划 ( 2 0 0 1AA3130 6 0 ;2 0 0 1AA313110 ;2 0 0 1AA31314 0 )资助项目
利用LP MOCVD系统生长了InGaN/GaNMQW紫光LED外延片 ,双晶X射线衍射测试获得了 2级卫星峰 ,室温光致发光谱的峰值波长为 399 5nm ,FWHM为 15 5nm ,波长均匀性良好。制成的LED管芯 ,正向电流2 0mA时 ,工作电压在 4V以下。
关键词：INGAN 量子阱 紫光LED MOCVD 发光二极管 外延生长 镓铟化合物 氮化镓 GaN 
MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究
《发光学报》2001年第z1期43-47,共5页秦志新 陈志忠 童玉珍 陆曙 张国义 
国家自然科学基金资助项目(69876002)
利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～...
关键词：INGAN InN分凝 MOCVD 
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