MOCVD生长的InGaN薄膜中的相分离  

Phase Seperation of InGaN Films Grown by MOCVD

作　　者：陆曙[1] 童玉珍[1] 陈志忠[1] 秦志新[1] 于彤军[1] 胡晓东[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理学院

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第3期279-283,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划 (编号 :2 0 0 1AA3 13 110 );国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 10 )资助项目~~

摘　　要：利用 X射线衍射 (XRD)测量用 MOCVD生长的 In Ga N样品 ,观察到 In N相 .通过 X射线衍射理论 ,计算得到 In N相在 In Ga N中的含量 .通过退火和变化生长条件发现 In N相在 In Ga N薄膜中的含量与生长时 N2 载气流量、反应室压力和薄膜中存在的应力有关 .进一步的分析表明 In Ga N合金中出现 In N相的主要原因是相分离 .One isolated InN peak is found by X-ray diffraction(XRD) measurement in InGaN films grown by MOCVD.By measuring the ratio of the integrated intensities of InN (0002) peak to that of InGaN (0002) peak in X-ray rocking curves,the inclusion of InN phase in InGaN layers is calculated.It is also found that the flow rate of N 2 carrier gas,operation pressure,and the stress in the films strongly affected the InN inclusion in InGaN.More analysis show that the results of phase separation is the main cause of isolated InN phase in InGaN films.

关 键 词：相分离 INGAN INN XRD MOCVD 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]