腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性  

Regrowing Characteristic of GaN on Etched Pits by MOCVD

作　　者：陆敏[1] 方慧智[1] 陆曙[1] 黎子兰[1] 杨华[1] 章蓓[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第4期415-418,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 2 ;60 2 760 3 4) ;国家高技术研究发展计划 ("863") (批准号 :863 -2 0 0 1AA3 13 110 ;2 0 0 1AA3 13 0 60 ;2 0 0 1AA3 13 14 0 );集成光电子学国家重点实验室资助项目~~

摘　　要：利用熔融 KOH液对单层 Ga N腐蚀后进行二次 MOCVD外延生长 ,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试 ,实验结果表明二次生长 2 h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性 .在腐蚀坑处 ,坑中早期的慢速生长及后期的侧向生长都抑制穿透螺位错的生长 ,坑边缘与中心的非对称生长会引入新的穿透刃位错 ,莲花状坑结构相遇连通可以使连通处的穿透刃位错消失 .GaN films etched in molten KOH are regrown for different hours.Scan electron microscope,X-ray diffraction,and photoluminence are applied to study the regrowing characteristics of the GaN in etched pits and nearly.The GaN film regrown for 2h has the lowest dislocation density and the best optical property.The slowly growing velocity in pits at early stage and the lateral growing at the edge of pits in late stage can restrain the propagation of pure screw threading dislocations.The asymmetrical regrowing characteristics on etch-pits will produce new edge threading dislocations and the connectivity of adjacent etch-pits can lessen edge threading dislocations.

关 键 词：MOCVD GAN 穿透位错 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学]