MOCVD生长的InGaN薄膜中InN分凝的研究  

InN Segregation in InGaN Layers Grownby Metalorganic Chemical Vapor Deposition

作　　者：秦志新[1] 陈志忠[1] 童玉珍[1] 陆曙[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学物理系,介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871 北京大学物理系,介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871 北京大学物理系,介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871 北京大学物理系,介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871 北京大学物理系,介观物理与人工微结构国家重点实验室，北京 100871

出　　处：《发光学报》2001年第z1期43-47,共5页Chinese Journal of Luminescence

基　　金：国家自然科学基金资助项目(69876002)

摘　　要：利用X射线衍射(XRD)技术测量了MOCVD生长的InGaN薄膜中的InN分凝量.利用Vegard定理和XRD2θ扫描测得实验的InGaN薄膜的In组分为0.1～0.34.通过测量XRD摇摆曲线的InN(0002)和InGaN(0002)的积分强度之比测得InN在InGaN中的含量为0.0684%～2.6396%.根据XRD理论,计算出InN和InGaN的理论衍射强度.InN含量在所有样品中均小于3%,这表明样品的相分离度比较低.还发现InN在InGaN薄膜中的含量与氮气载气流量和反应室气压明显相关.

关 键 词：INGAN InN分凝 MOCVD 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学]