陆羽

作品数：5被引量：7H指数：2
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供职机构：北京大学更多>>
发文主题：GAN发光光谱激光辐照氮化镓衬底更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《稀有金属》《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《发光学报》更多>>
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HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
《半导体技术》2008年第S1期164-166,共3页赵璐冰 于彤军 陆羽 李俊 杨志坚 张国义 
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量...
关键词：氢化物气相外延 厚膜 弯曲 X射线 
量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响被引量：4
《稀有金属》2007年第z1期33-35,共3页陆敏 杨志坚 潘尧波 陆羽 陈志忠 张国义 
采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片。对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片。
关键词：紫光二极管 MOCVD GAN 量子阱结构 
MOCVD侧向外延GaN的结构特性被引量：2
《发光学报》2005年第6期748-752,共5页方慧智 陆敏 陈志忠 陆羽 胡晓东 杨志坚 张国义 
国家自然科学基金(60376005;60276010);国家"863"计划(2001AA313140;2001AA313060)资助项目
侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三...
关键词：侧向外延 金属有机化学气相沉积 氮化镓 原子力显微镜 拉曼散射 
GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期28-31,共4页陈伟华 胡晓东 章蓓 黎子兰 潘尧波 胡成余 王琦 陆羽 陆敏 杨志坚 张国义 
国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313110,2001AA313060,2001AA313140和2005AA319020),国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,50228202和60477011)资助项目
用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看...
关键词：GaN/AlGaN超晶格 透射电镜 激光剥离 
侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文)被引量：1
《发光学报》2005年第1期72-76,共5页杨志坚 胡晓东 章蓓 陆敏 陆羽 潘尧波 张振声 任谦 徐军 李忠辉 陈志忠 秦志新 于彤军 童玉珍 张国义 
国家自然科学基金(60276010);国家"863"计划项目(2001AA313060,2001AA313110,2001AA313140)资助项目~~
在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生...
关键词：氮化镓 侧向外延生长 金属有机化学气相沉积 
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