赵璐冰

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HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
《半导体技术》2008年第S1期164-166,共3页赵璐冰 于彤军 陆羽 李俊 杨志坚 张国义 
异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量...
关键词：氢化物气相外延 厚膜 弯曲 X射线 
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