GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析  

TEM Analysis on GaN/AlGaN SLS

作　　者：陈伟华[1] 胡晓东[1] 章蓓[1] 黎子兰[1] 潘尧波[1] 胡成余[1] 王琦[1] 陆羽[1] 陆敏[1] 杨志坚[1] 张国义[1] 

机构地区：[1]北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院凝聚态和材料物理研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2005年第z1期28-31,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA313110,2001AA313060,2001AA313140和2005AA319020),国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034,50228202和60477011)资助项目

摘　　要：用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.

关 键 词：GaN/AlGaN超晶格 透射电镜 激光剥离 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]