3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs  

作　　者：华培忠[1] 翁瑞[1] 王福臣[1] 钟志新[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1992年第2期180-180,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3.5W。 为合理利用器件自身的寄生电抗作反馈元件。以实现振荡电路简单化,并有利于提高振荡频率,器件采用共漏工作模式。器件单胞FET的栅宽为2mm。包含10条200μm的栅指。

关 键 词：振荡器 波段 大功率 

分 类 号：TN752[电子电信—电路与系统]