王福臣

作品数：10被引量：2H指数：0
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全离子注入C波段功率单片放大器及内匹配功率单片放大器
《固体电子学研究与进展》1997年第3期207-211,共5页宋山松 王福臣 陈克金 陈堂胜 蒋幼泉 林金庭 
报道了全平面C波段功率单片放大器及四单片合成放大器研究结果。单片放大器采用全离子注入工艺，均匀性好，平均成品率40％，可靠性高。工作频率4．7—5．2GHZ，中心频率5．0GHz处输出功率2．5W，增益15dB，功率附加效率31．5％。单片...
关键词：微波集成电路 功率FET 内匹配 功率放大器 
C频段内匹配砷化镓功率场效应晶体管
《固体电子学研究与进展》1996年第2期89-93,共5页王福臣 陈克金 林金庭 
采用离子注入、多层欧姆接触金属结构、干法刻蚀、г形栅、空气桥、通孔接地和电镀热沉等先进技术，在直径５０ｍｍＧａＡｓ片上制作了总栅宽为９．６ｍｍ的功率场效应晶体管芯片。用４枚这种芯片并联，在其输入端和输出端分别加入内匹...
关键词：内匹配 砷化镓 功率 场效应晶体管 
S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制
《固体电子学研究与进展》1993年第2期104-110,共7页华培忠 王福臣 翁瑞 钟志新 马跃 梁波 杨玉昌 
本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。
关键词：砷化镓 场效应晶体管 微波振荡 
S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能
《固体电子学研究与进展》1992年第4期293-299,共7页王福臣 
对WC76型S频段大功率振荡用砷化镓场效应晶体管的微波性能作了介绍。文中给出了测试振荡器的设计。测试结果表明,WC76型振荡管在s频段的微波性能良好,振荡频率在3GHz左右时,输出功率可达3.5w,直流—射频转换效率可达44％,而且在2～4GHz...
关键词：砷化镓 场效应晶体管 微波振荡器 
3.5WS波段振荡用大功率GaAs FETs
《固体电子学研究与进展》1992年第2期180-180,共1页华培忠 翁瑞 王福臣 钟志新 
GaAs FET已广泛用来制作各种振荡器,应用于各类整机系统中。为满足整机应用的需要,南京电子器件研究所已研制出S波段振荡用大功率GaAs FET。主要技术指标为,在S波段,振荡输出功率≥2.5W,直流—射频转换效率≥30％。最好器件输出功率达3...
关键词：振荡器 波段 大功率 
X波段GaAs单片压控振荡器
《固体电子学研究与进展》1991年第3期188-192,共5页梁波 林金庭 夏先齐 王福臣 杨玉昌 
本文报告了X波段GaAs单片压控振荡器的设计和制作,电路设计采用小信号CAD分析程序,能准确地预计振荡频率,同时利用特殊工艺途径提高了变容管Q值.单片电路调谐范围是9.3～11.6GHz,输出功率大于10dBm.
关键词：压控振荡器 X波段 GAAS 振荡器 
两级GaAs单片功率放大器被引量：1
《固体电子学研究与进展》1991年第3期193-197,共5页顾炯 陈硕颀 王福臣 过常宁 林金庭 
国家自然科学基金重大项目
本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1d...
关键词：两级 功率放大器 GAAS 单片 
供混合微波集成电路用的直流偏压电路的研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1991年第1期67-71,共5页王福臣 
使用现有的微波电路CAD软件,对几种微带直流偏压电路进行了优化设计,并用HP8510网络分析仪测试了所设计的这几种偏压电路的性能.结果表明,经过优化设计,这几种偏压电路的工作带宽均可达到倍频程以上.
关键词：微波集成电路 直流偏压电路 
两级GaAs单片功率放大器
《固体电子学研究与进展》1990年第4期414-414,共1页顾炯 陈硕颀 王福臣 过常宁 林金庭 
国家自然科学基金资助项目
GaAs单片功率放大器是70年代末发展起来的.它可在卫星接收系统中作为后级放大;可作为VCO的后续放大器,从而组成新型的微波固态源;可用于无人值守微波中继站及雷达与其它电子工程中.这一广阔的应用前景使GaAs单片功放的研究引起了国内外...
关键词：功率放大器 两级 单片 GAAS 
X波段GaAs单片压控振荡器
《固体电子学研究与进展》1990年第4期407-408,共2页梁波 林金庭 夏先齐 王福臣 杨玉昌 
本工作的GaAs单片压控振荡器其振荡电路选择了GaAs场效应管作为有源器件,平面肖特基势垒变容二极管(Planar Schottkey Varactor Diode,简称PSVD)作为调谐元件.这种变容管的最大特点是它的工艺与GaAs FET的工艺相容,设计也比较灵活,改变...
关键词：Ф波段 GAAS 单片 压控振荡器 
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