S波段振荡用大功率GaAs FET的设计和研制  

Design and Development of S Band High Power GaAs FETs for Oscillator

作　　者：华培忠[1] 王福臣[1] 翁瑞[1] 钟志新[1] 马跃 梁波[1] 杨玉昌 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》1993年第2期104-110,共7页Research & Progress of SSE

摘　　要：本文叙述了S波段振荡用大功率GaAs FET的设计考虑、结构和制作,给出了器件性能。在3GHz下,器件振荡输出功率为3.34W,直流—射频转换效率为47.4％。The design,structure,fabrication and performances of S band high power GaAs FETs for oscillator are described in this paper. The device can deliver oscillation output power of 3. 34 W with efficiency of 47. 4% at 3 GHz.

关 键 词：砷化镓 场效应晶体管 微波振荡 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]