薄膜晶体管矩阵电路中的Al电极  

Aluminum Electrode in Amorphous-Silicon Thin Film Transistor Matrix Circuit

作　　者：贾正根[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所

出　　处：《光电子技术》1992年第4期284-288,共5页Optoelectronic Technology

摘　　要：本文介绍Al 电极 TFT 矩阵电路的优越性及其制造工艺——阳极氧化法制造 Al_2O_3膜。The paper introduces advantages of aluminum electrode in amorphous-sili-con thin film transistor (a-Si TFT) matrix circuit and a simple manufacturing method of Al_2O_3 film by using of anodic oxidation process.

关 键 词：矩阵 薄膜 晶体管电路 AL电极 

分 类 号：TN710.2[电子电信—电路与系统]