GaAs/AIGaAs量子阱红外探测器的发展  

Advances in GaAs/AIGaAs Multiple Quantum Well Infrared Detector

作　　者：汪艺桦 

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,编辑上海200083

出　　处：《半导体光电》1993年第1期25-34,共10页Semiconductor Optoelectronics

摘　　要：半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。The GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures for infrared detector has been rapidily developing in recent years。This paper summarises the development in GaAs/AlGaAs single-infrared detectors,with the empha- sis on new achievement for the GaAs/AlGaAs infrared detecting and hybrid focal plane arrays.

关 键 词：量子阱结构 红外探测器 半导体材料 

分 类 号：TN215[电子电信—物理电子学]