第三代电子器件——真空FET的现状  

作　　者：苏世民[1] 

机构地区：[1]电子部第13研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体技术》1993年第3期1-12,共12页Semiconductor Technology

摘　　要：概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述了平面结构的薄膜真空FET的现状以及用GaAs InP等单晶半绝缘材料取代SiO_2.作阴-栅介质层,以此降低器件的寄生电容,提高器件的输入阻抗,这就显著提高了器件的工作频率.最后,论述了真空微电子器件作为平板显示器的应用概况.现已研制出用于Laptop计算机、导航终端及便携式电视用的<4″的平板显示器.大面积彩色平板显示屏正在研制中.

关 键 词：真空电子器件 真空FET 第三代 

分 类 号：TN1[电子电信—物理电子学]