苏世民

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一代前景诱人的新型器件——真空微电子管
《半导体情报》1998年第5期8-16,共9页苏世民 
描述了真空微电子器件的发展概况，特别对场发射阵列的结构设计进展、微波用场发射阵列研究、低压场发射阵列研究以及场发射平板显示器的现状进行了全面阐述。
关键词：真空微电子管 场发射阵列 场发射显示器 
微组装技术的发展被引量：9
《半导体情报》1997年第1期1-8,共8页赵正平 苏世民 
论述了目前高密度封装和 MCM 的现状。指出目前高密度封装和 MCM 技术正在从数字电路向模拟电路尤其是微波电路转移,并例举了几种常见的微波 MCM。还论述了近年来我所研制的一些微封装、微组装的典型产品。
关键词：多芯片组件 封闭 微组装 
MCM的现状、展望与对策被引量：4
《半导体情报》1996年第6期1-5,共5页苏世民 梁春广 
描述了ＭＣＭ的现状和未来发展趋势，指出ＭＣＭ正在从数字电路逐渐向模拟电路，尤其是微波电路移动。并对发展我国ＭＣＭ提出了几点建议。
关键词：多芯片模块 埋置芯片式 MCM 模拟电路 
用于SMT的柔性制造技术及现状被引量：1
《半导体技术》1995年第6期25-32,共8页苏世民 
用于ＳＭＴ的柔性制造技术及现状电子工业部第十三研究所（石家庄０５０００２）苏世民１引言从整个电子工业的发展史来看，器件的发展经历了电子管、晶体管、ＩＣ及ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ几个重要发展阶段。如果没有器件的进步和发展，电...
关键词：柔性制造技术 SMT技术 PCB元件 贴装 
微电子领域的一场革命微组装技术新星──MCM登场
《电子工业专用设备》1994年第4期8-14,共7页苏世民 
本文介绍了ＭＣＭ的分类、用途和基板制作技术。并对组建ＭＣＭ生产线所需的工艺设备作了简要论述。
关键词：MCM 基板制作技术 MCM生产线 
高密度、高性能IC封装的现状及发展趋势被引量：1
《半导体情报》1993年第6期51-57,共7页苏世民 
本文描述了高密度、高性能IC封装的现状、目前常用的几种类型以及当前面临的问题。并指出,高密度封装将逐步被一种更新的封装——多芯片组件(MCM)所代替。MCM的出现将对军事、航空、高端计算机和远距离通信产生深远的影响。
关键词：封装 多芯片组件 混合集成电路 
第三代电子器件——真空FET的现状被引量：1
《半导体技术》1993年第3期1-12,共12页苏世民 
概述了真空FET的基本原理、特性及现状.为拓宽器件的电路功能,近年来研制了各种结构,以便用一个器件完成除放大和开关以外的更多的电路功能,如倍增、倍频、信号分离器等.此外,为简化器件的制造工艺 ,突破传统真空FET的频率限制,还论述...
关键词：真空电子器件 真空FET 第三代 
Si基微组装技术——薄膜混合IC的一个重要分支
《半导体情报》1992年第2期17-24,56,共9页苏世民 
本文描述了Si基微组装技术的目前状况、基本特点和一般制作工艺以及应用概况。阐明了该技术在微电子行业中的重要地位。
关键词：微组装 混合集成电路 薄膜混合IC 
当代电子学的标志——真空微电子学
《半导体情报》1991年第5期29-38,45,共11页苏世民 
本文概述了真空微电子学的基本原理、特性、用途及发展现状。现在真空场发射三极管高频电压增益可做到11dB,跨导为38μS。预计真空微三极管的频率可达3GHz以上。指出,新研制的真空微电子微带放大器在35～1000GHz(1THz)频段下输出功率可...
关键词：真空微电子学 微电子技术 真空器件 
高密度封装的发展趋势
《半导体情报》1991年第3期26-33,共8页苏世民 
本文描述了近年来高密度封装中出现的新技术、新结构,如载带自动键合技术(TAB)、带线四边有引线扁平封装(TQFP)和多芯片模块(MCM)结构等。论述了高密度封装的设计考虑及材料的选择。并且指出,只有低介电常数且制成薄膜的聚酰亚胺介质材...
关键词：集成电路 封装 工艺 
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