场发射阵列

作品数：58被引量：96H指数：5
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用于太赫兹真空器件的大电流密度阴极被引量：7
《真空电子技术》2013年第1期20-26,共7页邵文生 李娜 李兴辉 于志强 白国栋 王辉 张珂 李季 
主要介绍了太赫兹器件对电子源的需求,并对国际上各类适用于太赫兹器件的电子源进行了分析和对比。作者认为正在研发的热阴极和冷阴极(场发射阵列阴极)是未来太赫兹器件电子源的两个选择。目前,热阴极技术和场发射冷阴极也正在因为器件...
关键词：太赫兹 真空器件 热阴极 冷阴极 场发射阵列 
场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响
《电子器件》2009年第6期1011-1014,1018,共5页裴文俊 林祖伦 祁康成 王小菊 
研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使...
关键词：场发射阵列 硅片 牺牲层 腐蚀 逸出功 
有源矩阵FED器件用的单块集成多晶硅FEA与TFT
《光电技术》2009年第3期26-27,共2页
本文给出了制作在有源矩阵场发射显示（AMFED）器件绝缘基底上的集成多晶硅场发射阵列（p-SiFEA）与薄膜晶体管（TFT）。这里的TFT设计即使在高漏电压下也具有低断路电流。集成P—SiTFT主动地控制着P-SiFEA的电子发射，从而导致了对于...
关键词：FED器件 有源矩阵 TFT 多晶硅 集成 FEA 场发射阵列 玻璃基底 
采用了新型老炼技术的高分辨5英寸全色FED
《光电技术》2009年第2期21-23,共3页
5英寸对角线的场发射显示器件已被充分研发出来，借助于门开荚驱动的设计，对其电子轨迹的轮廓进行了模拟与设计。在镀有氧化锢锡的玻璃上制有具有经独具特色印制且具有高长宽比的隔柱。以便于进行真空封装。此外，为了阻止对于微尖的...
关键词：老炼技术 全色 场发射显示器件 FED 高分辨 真空封装 氧化作用 场发射阵列 
LaB_6场发射阵列牺牲层制备工艺
《强激光与粒子束》2009年第6期923-926,共4页代令 祁康成 林祖伦 陈文彬 李东方 
国防科技基础研究基金资助课题
分析了传统牺牲层材料铝在制备LaB6场发射阵列时存在的问题,利用溅射及热蒸发工艺依次制备铝膜和氧化锌膜,制备出了一种新型的牺牲层——ZnO-A1复合牺牲层,并对所制备的阵列进行了测试。实验结果表明:ZnO一A1复合牺牲层能够有效地解决...
关键词：六硼化镧 场发射 牺牲层 溅射 ZnO-Al 
复合型场发射阵列失效性研究被引量：2
《电子器件》2009年第1期4-7,共4页李东方 林祖伦 陈文彬 代令 何世东 曹伟 
复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象。为了提高器件的整体性能,试验采用了三种工艺改进方法,在真空环境中600℃高温退火;在氢气中进行氢化处理;对器件进行15 h的老炼。改进工...
关键词：场发射阵列 退火 老炼 氢化处理 
现代显示技术的研究进展被引量：6
《现代显示》2008年第11期18-21,57,共5页袁泽明 杨玉叶 高锐敏 姚宁 
教育部科学技术研究重点项目资助(编号:205091)
结合其发光原理及特点分析了阴极射线管(CRT)显示器、液晶显示器(LCD)、等离子显示器(PDP)、场发射显示器(FED)的市场走向,认为FED是一种最理想的显示器。对FED不同类型的阴极场发射阵列(FEA)进行比较,认为碳纳米管薄膜阴极是目前最有...
关键词：阴极射线管 液晶显示器 等离子显示器 场发射显示器 场发射阵列 碳纳米管 
单晶LaB_6场发射阵列的电化学腐蚀工艺被引量：7
《强激光与粒子束》2008年第7期1195-1198,共4页王小菊 林祖伦 祁康成 王本莲 蒋亚东 
六硼化镧(LaB6)场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在(111)面单晶LaB6基片上,用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅层做掩膜,光刻后采用电化学腐蚀方法对基片进行刻蚀,得到具有一定高度的LaB6尖锥场发射阵列...
关键词：六硼化镧 单晶 场发射阵列阴极 电化学刻蚀 
微小孔径场发射阵列的电子束特性数值模拟
《电子器件》2008年第3期800-802,共3页汪志刚 林祖伦 王小菊 徐枫 高峰 
以场发射基本原理为基础,简化三极管阵列模型,采用有限差分法对微孔径场发射阵列进行了三维模拟。通过改变栅极孔径和尖锥高度并保持其它参数不变的情况,从而获得阳极电子束斑的直径。得到不同情况下的阳极电子束光斑直径的变化。分析...
关键词：场发射 有限差分 电子束 
六硼化镧场发射阴极阵列的制作及特性(英文)
《强激光与粒子束》2008年第2期304-308,共5页王小菊 蒋亚东 林祖伦 祁康成 陈泽祥 
采用氧等离子体氧化刻蚀工艺,制备出尖锐的六硼化镧(LaB6)微尖锥场发射阵列。在二极管结构中测试了LaB6-FEAs的场发射性能,得到了真空度为5×10-5Pa下的I-V曲线及相应的Fowler-Nordheim节点。结果表明,由于LaB6材料较低的逸出功,使得阴...
关键词：六硼化镧(LaB6) 场发射阵列 氧化 刻蚀方法 
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