裴文俊

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场发射阵列硅基底类型对去铝牺牲层工艺的影响
《电子器件》2009年第6期1011-1014,1018,共5页裴文俊 林祖伦 祁康成 王小菊 
研究了Spindt场发射阵列铝牺牲层工艺中不同硅基底类型对尖锥的影响,结果表明,在有栅极(Ti-W)和无栅极情况下,p-Si基底的场发射尖锥阵列都会被腐蚀破坏,而n-Si衬底的尖锥形貌完好。这是由于基底材料与尖锥材料之间形成的接触电位差,使...
关键词：场发射阵列 硅片 牺牲层 腐蚀 逸出功 
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