极性半导体中表面激子的性质  

Properties of Surface Exciton in Polar Semiconductors

作　　者：孙宝权 肖景林 

机构地区：[1]内蒙古民族师院,通辽028043

出　　处：《Journal of Semiconductors》1993年第2期67-75,共9页半导体学报（英文版）

基　　金：内蒙古自然科学基金

摘　　要：本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。Some properties of the surface exciton in polar semiconductors are studied.The effectiveHamiltonian of the surface exciton is derived by a perturbation method. When we considerthe interaction between phonons of different wave vector in the recoil process, the influenceon effective potential between the electron and the hole, the self-trapping energy and the selftrappingcondition are discussed.

关 键 词：极性半导体 激子 半导体表面 性质 

分 类 号：O472.3[理学—半导体物理]