LD泵浦Nd∶GdVO_4/GaAs被动调Q激光器研究  

Study of LD-pumped Nd∶GdVO_4/GaAs Passively Q-switched Laser

作　　者：杜晨林[1] 阮双琛[1] 于永芹[1] 秦连杰[2] 邵宗书[3] 孟宪林[3] 

机构地区：[1]深圳大学工程技术学院,深圳518060 [2]烟台大学环境工程与材料学院,烟台264005 [3]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100

出　　处：《光子学报》2004年第7期774-776,共3页Acta Photonica Sinica

摘　　要：报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4 晶体 ,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜 ,实现了 1.0 6 μm激光的被动调Q运转 在泵浦功率为 13.9W时 ,获得最高平均输出功率为 3.6W ,脉冲宽度为 2 5 2ns ,单脉冲能量为 2 7μJ以及峰值功率为 10A high-power LD-end-pumped passively Q-switched Nd∶GdVO 4 laser at 1.06 μm is reported here with a GaAs crystal as both passively Q-switched component and output coupler. At the incident pump power of 13.9 W, the maximum average output power of 3.6 W, the shortest pulse width of 252 ns, the highest single pulse energy of 27 μJ and the highest peak power of 107 W are achieved, respectively.

关 键 词：半导体激光器泵浦 ND:GDVO4晶体 GAAS 被动调Q 

分 类 号：TN24[电子电信—物理电子学]