基于SOI衬底的射频电感优化设计  

Optimization and Design of RF Inductors on SOI

作　　者：赵冬燕[1] 张国艳[1] 黄如[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子学研究所,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2004年第6期702-706,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA1E15 90 )及;国家自然科学基金 (批准号 :60 3 0 60 0 5 )资助项目~~

摘　　要：比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较并不固定电感值 。The characteristics of SOI RF inductors are compared to those of bulk RF inductors.The simulating results of the RF inductors on SOI are presented,and the effects on the inductance,quality factor,and self-resonant-frequency brought by the change of the inductor parameters are analyzed.Finally,some design and optimization principles of RF inductors based on SOI are suggested according to these results and analysis.The comparing way in this paper,which is based on same inductance is different from before.

关 键 词：SOI衬底 电感量 品质因数 自谐振频率 

分 类 号：TN4[电子电信—微电子学与固体电子学]