内建电场对InGaN耦合量子点光学性质的影响  

作　　者：危书义[1] 夏从新[1] 汪建广[1] 闫玉丽[1] 

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2004年第2期121-121,共1页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：河南省高校青年骨干教师资助计划;河南省教育厅自然科学基础研究计划项目(2003140027;20011400009)

关 键 词：InGaN量子点 压电和自发极化 带间光跃迁 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]