国家自然科学基金(U1330114)

作品数：2被引量：2H指数：1
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High dV/dt immunity MOS controlled thyristor using a double variable lateral doping technique for capacitor discharge applications被引量：1
《Chinese Physics B》2014年第7期691-696,共6页陈万军 孙瑞泽 彭朝飞 张波 
supported by the National Natural Science Foundation of China(Grant No.U1330114);the Advance Research Program,China(GrantNo.51308030407);the Opening Project of Science and Technology on Reliability Physics and Application Technology of Electronic Component Laboratory,China(Grant No.ZHD201201)
An analysis model of the dV/dt capability for a metal-oxide-semiconductor （MOS） controlled thyristor （MCT） is developed. It is shown that, in addition to the P-well resistance reported previously, the existence of...
关键词：MOS controlled thyristor capacitor discharge 
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