国家教育部博士点基金(00800551008)

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CuInSe2 Films Prepared by a Plasma-Assisted Selenization Process in Different Working Pressures
《Chinese Physics Letters》2010年第2期292-294,共3页于涛 张毅 李宝璋 姜伟龙 王赫 蔡永安 刘玮 李凤岩 孙云 
Supported by the National High-Tech Research and Development Program of China under Grant No 2004AA513020, the National Natural Science Foundation of China under Grant No 60906033, and the Specialized Research Fund for the Doctoral Program of Higher Education （00800551008）
The effects of working pressure on the composition, structure and surface morphology properties of CuInSe2 （CIS） films selenized with a plasma-assisted selenization process is investigated. Higher selenium content, ...
关键词：Electronics and devices Semiconductors Surfaces interfaces and thin films Plasma physics Condensed matter: structural mechanical & thermal 
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