国家自然科学基金(XJ2008312)

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Thermal characteristics investigation of high voltage grounded gate-LDMOS under ESD stress conditions
《Journal of Semiconductors》2009年第10期43-45,共3页孙伟锋 钱钦松 王雯 易扬波 
supported by the Natural Science Foundation of the Jiangsu Province(No.BK2008287);the Advanced Research of National Natural Science Foundation of Southeast University(No.XJ2008312)
The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators.The total heat and lattice temperature distributions alo...
关键词：thermal characteristic gg-LDMOS ESD stress condition 
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