国家自然科学基金(XJ2008312)

作品数：5被引量：3H指数：1
导出分析报告
相关作者：孙伟锋刘斯扬钱钦松王佳宁易扬波更多>>
相关机构：东南大学安徽大学更多>>
相关期刊：《微电子学》《Journal of Southeast University(English Edition)》《Journal of Semiconductors》《中国工程科学》更多>>
相关主题：LDMOS场限环EFFECTWIDESTEP更多>>
相关领域：电子电信更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-4
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
A sub-circuit MOSFET model with a wide temperature range including cryogenic temperature被引量：1
《Journal of Semiconductors》2011年第6期27-32,共6页贾侃 孙伟锋 时龙兴 
Project supported by the Natural Science Foundation of Jiangsu Province,China(NoBK2008287);the Advanced Research of National Natural Science Foundation of Southeast University,China(NoXJ2008312)
A sub-circuit SPICE model of a MOSFET for low temperature operation is presented.Two resistors are introduced for the freeze-out effect,and the explicit behavioral models are developed for them.The model can be used i...
关键词：SPICE model low temperature SUB-CIRCUIT freeze-out effect voltage control resistor 
Analysis of hot-carrier degradation in N-LDMOS transistor with step gate oxide被引量：1
《Journal of Southeast University(English Edition)》2010年第1期17-20,共4页刘斯扬 钱钦松 孙伟锋 
The Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK2008287);the Preresearch Project of the National Natural Science Foundation of Southeast University(No.XJ2008312)
In order to minimize the hot-carrier effect（HCE）and maintain on-state performance in the high voltage N-type lateral double diffused MOS（N-LDMOS）, an optimized device structure with step gate oxide is proposed. Co...
关键词：HOT-CARRIER degradation step gate oxide N-type lateral double diffused MOS（N-LDMOS） 
单个浮置场限环终端结构击穿电压模型被引量：1
《微电子学》2009年第6期848-851,856,共5页孙伟锋 王佳宁 易扬波 
江苏省自然科学基金资助项目(BK2008287);东南大学国家自然科学基金预研支持项目(XJ2008312)
基于B.J.Baliga的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入...
关键词：浮置场限环 击穿电压模型 终端结构 
Thermal characteristics investigation of high voltage grounded gate-LDMOS under ESD stress conditions
《Journal of Semiconductors》2009年第10期43-45,共3页孙伟锋 钱钦松 王雯 易扬波 
supported by the Natural Science Foundation of the Jiangsu Province(No.BK2008287);the Advanced Research of National Natural Science Foundation of Southeast University(No.XJ2008312)
The thermal characteristics of high voltage gg-LDMOS under ESD stress conditions are investigated in detail based on the Sentaurus process and device simulators.The total heat and lattice temperature distributions alo...
关键词：thermal characteristic gg-LDMOS ESD stress condition 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部